ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА УДЕРЖАНИЯ В ДВУХЭЛЕКТРОННОЙ КВАНТОВОЙ СИСТЕМЕ
DOI:
https://doi.org/10.52167/1609-1817-2023-126-3-232-239Ключевые слова:
квантовая система, квантовая точка, потенциал удержания, изображенный заряд, характерная длинаАннотация
В работе анализируется механизм формирования потенциала удержания в двухэлектронной квантовой системе, находящейся во внешнем магнитном поле. Простым представителем такой системы является двухэлектронная квантовая точка. Гетероструктуры, содержащие полупроводниковые квантовые точки, являются перспективным материалом современной опто- и наноэлектроники, в связи с чем в последние годы их свойства интенсивно изучаются. Тенденция к уменьшению размеров различных полупроводников требует необходимости получения и исследования квантовых точек как можно меньшего размера, например, в несколько нанометров. Поскольку основную роль в описании механизма образования квантовой точки играют квантово-механические эффекты, в основу работы положен метод выражения в осцилляторе. Из графиков зависимости, полученных при точных значениях параметров для случая квантовой точки, было замечено, что потенциал удержания в двухэлектронной квантовой системе определяется взаимодействием электронов в электростатическом поле. Проведенный анализ позволяет контролировать свойства квантовой точки. Такая структура может быть положена в основу фундамента будущих высоких технологий.
Библиографические ссылки
[1] W. Leidemann, G. Orlandini. Modern ab initio approaches and applications in few-nucleon physics with A ≥ 4 // Progr. Part. Nucl. Phys. / 2013. – Vol. 68. – P.158-214.
[2] J.M. Bang, A.I. Mazur, A.M. Shirokov, Yu.F. Smirnov and S. A. Zaytsev. P-Matrix and J-Matrix Approaches: Coulomb Asymptotics in the Harmonic Oscillator Representation of Scattering Theory // Ann. Phys. (N.Y.) / 2000. – P. 280-299.
[3] Reimann S. M., Manninen M. Electronic structure of quantum dots //Reviews of Mod- ern Physics. – 2002. – Vol. 74. – No. 4. – P. 1283.
[4] Levchuk E. A., Makarenko L. F. On controlling the electronic states of shallow donors using a finite-size metal gate //Semiconductors. – 2016. – Vol. 50. – No. 1. – P. 89-96.
[5] M. Kammermeier, A. Seith, P. Wenk and J. Schliemann, Persistent spin textures and currents in wurtzite nanowire-based quantum structures // arXiv:2001.06571v2 8 May 2020 Icond-mat.mes-hall] (2020).
[6] J. M. Lia and P. I. Tamborenea, Physica B 126, 114419 (2020).
[7] Mazur, A.M. Shirokov, A.I. Mazur, J.P. Vary, Description of resonant states in the shell model // arXiv:1512.03983 [nucl-th] p. 1-11 (2015); принято к публикации в ЭЧАЯ (2016).
Загрузки
Опубликован
Как цитировать
Выпуск
Раздел
Лицензия
Copyright (c) 2023 Сауле Жаугашева, Камила Нұрлан, Баян Толымбекова, Назым Жусупова, Мадина Абиева
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-NoDerivatives» («Атрибуция — Некоммерческое использование — Без производных произведений») 4.0 Всемирная.
